Anwendungen

Dotiergas

 

Beim Dotieren wird ein Fremdstoff bei der Wafer-Herstellung zur gezielten Änderung der Leitfähigkeit in den Halbleiterkristall durch Diffusion eingetragen. Dazu gibt es mehreren Verfahren. Die Diffusion beschreibt den Vorgang, bei dem aus der Gasphase ein Trägergas (Stickstoff, Argon) mit dem Dotierstoff angereichert und mit dem Wafer in Kontakt gebracht wird. Eine andere Methode arbeitet mit einer flüssigen Quelle. Dabei wird das Trägergas mit dem Dotierstoff durch eine geeignete Flüssigkeit geleitet und die beladene Flüssigkeit mit dem Wafer in Kontakt gebracht.

Da die Dotierstoffe hochgiftig, umweltbelastend und bei Kontakt mit der Atmosphäre teilweise selbstentzündlich sind, kommen vor allem leckagefreie Membranverdichter von HOFER, der Premiummarke der NEUMAN & ESSER GROUP, für diese Anwendung zum Einsatz.

Medium: Monosilan SiH4, Trichlorsilan SiH3CI
Enddrücke: 25 – 200 bar
Installierte Leistung: 10 – 75 kW
 
Modelle:
MKZ 560-20
MKZ 280-5/185-15
MKZ 280-5/200-5
MKZ 630-2/470-5
MKZ 630-5/380-15
 

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